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1、方波脉冲宽度。一般来说激励脉冲宽度在1μ以下激励脉冲必须能使探头压电晶片产生谐振，激发探头产生的超声波能量最强。为使晶片产生谐振，脉冲宽度满足条件：W=50/f，式中W为脉冲宽度，ns，f 为探头频率，MHz。
2、 发射脉冲幅值。超声波探伤仪发射电路输出要接负载，不能因为接上负载电脉冲幅度降低到很小，没有驱动能力也不能接上负载而产生变形，但是发射脉冲驱动能力过大会出现过冲现象，故发射电压要适中。
3、 重复发射频率。一般是几十Hz到几百Hz，超声波探伤仪重复频率高可以快速从发射状态退出开始下一次发射，但是发射电压越高恢复时间越久。重复频率越高，会影响发射脉冲宽度，降低脉冲幅值。
根据上述超声波探伤仪发射电路MOSFET开关特性、电容电阻对发射电路影响以及实际超声波探伤参数特性，综合可知，发射电路对探伤系统性能影响主要有以下几个方面：
1、灵敏度余量。发射电压不足、脉冲宽度不合适、上升时间太长以及电噪声大都会导致发射电路触发的超声波信号微弱，而降低系统灵敏度余量。
2、分辨力。上升时间长、过冲及重复频率过高都会导致仪器分辨力降低。
3、垂直线性误差。发射脉冲重复性不好，每次发射电压不一致，会增大仪器垂直线性误差
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